依据导电方式的不同，直流稳压电源MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状况，加上正确的VGS后，大都载流子被招引到栅极，然后“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。

N沟道增强型直流稳压电源MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺分散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。

当VGS＝0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间构成电流。

当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间构成的电容电场效果，将接近栅极下方的P型半导体中的多子空穴向下方排挤，呈现了一薄层负离子的耗尽层；一起将招引其间的少子向表层运动，但数量有限，不足以构成导电沟道，将漏极和源极交流，所以依然不足以构成漏极电流ID。

进一步添加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th)称为敞开电压），因为此刻的栅极电压现已比较强，在接近栅极下方的P型半导体表层中集合较多的电子，能够构成沟道，将漏极和源极交流。如果此刻加有漏源电压，就能够构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层。跟着VGS的持续添加,ID将不断添加。在VGS＝0V时ID＝0，只需当VGS＞VGS(th)后才会呈现漏极电流，所以,这种直流稳压电源MOS管称为增强型直流稳压电源MOS管。

VGS对漏极电流的操控联系可用iD＝f(VGS(th))|VDS=const这一曲线描绘，称为搬运特性曲线，见图1.。

搬运特性曲线的斜率gm的巨细反映了栅源电压对漏极电流的操控效果。 gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导。

图1. 搬运特性曲线

图2—54（a）为N沟道增强型直流稳压电源MOSFET的结构示意图，其电路符号如图2—54（b）所示。它是用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，使用分散工艺在衬底上分散两个高掺杂浓度的N型区（用N+表明），并在此N型区上引出两个欧姆触摸电极，别离称为源极（用S表明）和漏极（用D表明）。在源区、漏区之间的衬底外表掩盖一层二氧化硅（SiO2）绝缘层，在此绝缘层上沉积出金属铝层并引出电极作为栅极（用G表明）。从衬底引出一个欧姆触摸电极称为衬底电极（用B表明）。因为栅极与其它电极之间是彼此绝缘的，所以称它为绝缘栅型场效应管。图2—54（a）中的L为沟道长度，W为沟道宽度。

图2—54所示的直流稳压电源MOSFET，当栅极G和源极S之间不加任何电压，即UGS=0

时,因为漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012W的数量级，也就是说D、S之间不具备导电的沟道，所以无论漏、源极之间加何种极性的电压，都不会发生漏极电流ID。

当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即UGS﹥0时,如图2—55（a）所示，则在栅极与衬底之间发生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的效果下，P衬底外表邻近的空穴遭到排挤将向下方运动，电子受电场的招引向衬底外表运动，与衬底外表的空穴复合，构成了一层耗尽层。如果进一步进步UGS电压，使UGS达到某一电压UT时，P衬底外表层中空穴悉数被排挤和耗尽，而自由电子很多地被招引到外表层，由量变到突变，使外表层变成了自由电子为多子的N型层，称为“反型层”，如图2—55（b）所示。反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开端构成导电沟道所需的UGS值称为阈值电压或敞开电压，用UT表明。明显，只需UGS﹥UT时才有沟道，并且UGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电才能越强。这就是为什么把它称为增强型的缘故。

在UGS﹥UT的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压UDS，导电沟道就会有电流流转。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有必定的电阻，所以沿着沟道发生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐步减小，接近漏区一端的电压UGD最小，其值为UGD=UGS－UDS,相应的沟道最薄；接近源区一端的电压最大，等于UGS,相应的沟道最厚。这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈歪斜状。跟着UDS的增大，接近漏区一端的沟道越来越薄。

当UDS增大到某一临界值，使UGD≤UT时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种状况称为沟道“预夹断”，如图2—56（a）所示。持续增大UDS(即UDS＞UGS－UT)，夹断点向源极方向移动，如图2—56（b）所示。虽然夹断点在移动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降坚持不变，仍等于UGS－UT。因而,UDS剩余部分电压[UDS－(UGS－UT)]悉数降到夹断区上，在夹断区内构成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子抵达夹断区边际时，受夹断区强电场的效果，会很快的漂移到漏极。

耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即构成沟道，加上正确的VGS时，能使大都载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

耗尽型直流稳压电源MOS场效应管，是在制作过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入很多的正离子，因而，在UGS=0时，这些正离子发生的电场也能在P型衬底中“感应”出满足的电子，构成N型导电沟道。

当UDS>0时，将发生较大的漏极电流ID。如果使UGS<0，则它将削弱正离子所构成的电场，使N沟道变窄，然后使ID减小。当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表明。UGS N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET的结构与增强型直流稳压电源MOSFET结构相似，只需一点不同，就是N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道现已存在。该N沟道是在制作过程中使用离子注入法预先在衬底的外表，在D、S之间制作的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了很多的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子现已感应出反型层，构成了沟道。所以，只需有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步添加。VGS＜0时，跟着VGS的减小漏极电流逐步减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表明，有时也用VP表明。N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET的搬运特性曲线如图1.（b）所示。

(a) 结构示意图 　　　　　　(b) 搬运特性曲线

图1. N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET的结构和搬运特性曲线

因为耗尽型直流稳压电源MOSFET在uGS=0时，漏源之间的沟道现已存在，所以只需加上uDS,就有iD流转。如果添加正向栅压uGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。

如果在栅极加负电压（即uGS＜0＝，就会在相对应的衬底外表感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，然后在衬底外表发生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压Up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道彻底被夹断（耗尽），这时即便uDS仍存在，也不会发生漏极电流，即iD=0。UP称为夹断电压或阈值电压，其值通常在–1V–10V之间N沟道耗尽型直流稳压电源MOSFET的输出特性曲线和搬运特性曲线别离如图2—60（a）、（b）所示。

在可变电阻区内，iD与uDS、uGS的联系仍为

在恒流区，iD与uGS的联系仍满足式（2—81），即

若考虑uDS的影响，iD可近似为

对耗尽型场效应管来说，式（2—84）也可表明为

式中，IDSS称为uGS=0时的饱满漏电流，其值为

P沟道直流稳压电源MOSFET的作业原理与N沟道直流稳压电源MOSFET彻底相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同罢了。这好像双极型三极管有NPN型和PNP型一样。