定义

电源噪声是电磁干扰的一种，其传导噪声的频谱大致为10kHz~30MHz，最高可达150MHz。电源噪声，特别是瞬态噪声干扰，其上升速度快、持续时间短、电压振幅度高、随机性强，对微机和数字电路易产生严重干扰。

发生原因

1、直流稳压电源芯片本身的输出并不是恒定的，会有一定的波纹。这是由稳压芯片自身决定的，一旦选好了稳压电源芯片，对这部分噪声我们只能接受，无法控制。

2、直流稳压电源无法实时响应负载对于电流需求的快速变化。稳压电源芯片通过感知其输出电压的变化，调整其输出电流，从而把输出电压调整回额定输出值。多数常用的稳压源调整电压的时间在毫秒到微秒量级。因此，对于负载电流变化频率在直流到几百 KHz 之间时，稳压源可以很好的做出调整，保持输出电压的稳定。当负载瞬态电流变化频率超出这一范围时，稳压源的电压输出会出现跌落，从而产生电源噪声。微处理器的内核及外设的时钟频率已经大于了 600 兆赫兹，内部晶体管电平转换时间下降到 800 皮秒以下。稳压电源芯片不可能满足直流到 1GHz范围内都能快速响应负载电流的变化这一苛刻要求。

3、负载瞬态电流在电源路径阻抗和地路径阻抗上产生的压降。PCB 板上任何电气路径不可避免的会存在阻抗，不论是完整的电源平面还是电源引线。对于多层板，通常提供一个完整的电源平面和地平面，稳压电源输出首先接入电源平面，供电电流流经电源平面，到达负载电源引脚。地路径和电源路径类似，只不过电流路径变成了地平面。完整平面的阻抗很低，但确实存在。如果不使用平面而使用引线，那么路径上的阻抗会更高。另外，引脚及焊盘本身也会有寄生电感存在，瞬态电流流经此路径必然产生压降，因此负载芯片电源引脚处的电压会随着瞬态电流的变化而波动，这就是阻抗产生的电源噪声。在电源路径表现为负载芯片电源引脚处的电压轨道塌陷， 在地路径表现为负载芯片地引脚处的电位和参考地电位不同 （注意， 这和地弹不同， 地弹是指芯片内部参考地电位相对于板级参考地电位的跳变）

分类

热噪声，随机但有通式

在绝对零度以上的任何温度，导体或半导体中的载流子（电子和空穴）会发生扰动，这就是热噪声（亦称约翰逊噪声或白噪声）的来源。热噪声功率与温度成比例。它具有随机性，因而不随频率而变化。热噪声是一个物理过程，可以通过下式计算：

Vn = √(4kTRB)

k表示波尔兹曼常数（1.38−23 J/K）

T表示绝对温度（K = 273°C）

R表示电阻（单位Ω）

B表示观察到噪声的带宽（单位Hz，电阻上测得的均方根电压也是进行测量的带宽的函数）

1/f 噪声

1/f 噪声来源于半导体的表面缺陷，声功率与器件的偏置电流成正比，并且与频率成反比，这一点与热噪声不同。即使频率非常低，该反比特性也成立，然而，当频率高于数kHz时，关系曲线几乎是平坦的。1/f 噪声也称为粉红噪声，因为其权重在频谱的低端相对较高。

1/f 噪声主要取决于器件几何形状、器件类型和半导体材料，因此，要创建其数学模型极其困难，通常使用各种情况的经验测试来表征和预测1/f噪声。

一般而言，具有埋入结的器件，如双极性晶体管和JFET等，其1/f 噪声往往低于MOSFET等表面器件。

散粒噪声

散粒噪声发生在有势垒的地方，例如PN结中。半导体器件中的电流具有量子特性，电流不是连续的。当电荷载子、空穴和电子跨过势垒时，就会产生散粒噪声。像热噪声一样，散粒噪声也是随机的，不随频率而变化。

低频噪声

爆米花噪声是一种低频噪声，似乎与离子污染有关。爆米花噪声表现为电路的偏置电流或输出电压突然发生偏移，这种偏移持续的时间很短，然后偏置电流或输出电压又突然返回其原始状态。这种偏移是随机的，但似乎与偏置电流成正比，与频率的平方成反比(1/f2)。

爆裂噪声

爆裂噪声和爆米花噪声相同，也是一种低频噪声，似乎与离子污染有关。但由于现代半导体工艺技术的洁净度非常高，爆裂噪声几乎已经被消除，不再是器件噪声的一个主要因素。

使用示波器的测量方法

1、用示波器的交流耦合档位；

2、带宽限制成20MHz；

3、把示波器探头的地夹线去掉，用探针和裸露的地靠接电源的输出，观察输出的波形。

手上在用一个隔离的ZY0505BS-1W，随便测了下，如下图。